本周以来，存储芯片反复活跃，周二、周四均为当日最强板块，华海诚科、德明利、睿能科技、商络电子、万润科技等多股在周四均涨停收盘。其中，德明利创出历史新高。那么存储芯片为何突然走强呢？产业链核心公司又有哪些呢？
存储芯片是典型的周期性行业，市场规模超万亿
存储芯片又称半导体存储器，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，用于保存二进制数据的记忆设备，是现代数字系统的重要组成部分。
半导体存储又可以分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片在所在电路断电后，将无法保存数据，代表性产品有DRAM和SRAM。非易失性存储芯片在所在电路断电后，仍保有数据，代表性产品为NAND Flash和NOR Flash。
半导体存储器分类
数据来源：CSDN，国金证券研究所
目前市场主流的半导体存储器为DRAM（动态随机存储）、Flash（闪存），Flash可分为NOR Flash和NAND Flash两大类。根据IC Insights的数据，2021年DRAM在整个存储市场的市场份额约为56%，其中NAND Flash闪存为41%，NOR Flash闪存为2%。
值得注意的是，存储芯片行业是典型的周期性行业。从历史周期维度看，存储行业周期约为3-4年，本周期自2020Q1起始，于2022Q1价格阶段性见顶，目前已连续6个季度降价，处于周期筑底阶段。
行业规模上，从历史数据来看，存储芯片行业规模占全球半导体行业规模的1/4-1/3。WSTS数据显示，2021 年全球半导体市场规模为 5558.9亿美元，其中存储芯片市场规模为1538.4亿美元，占半导体行业销售额的28%。
根据Yole的数据，2021年存储芯片市场规模1670亿美元（超万亿人民币），2027年市场规模2630亿元，2021-2027年CAGR达8%，超越同期全球半导体市场的复合增速。
巨头减产助推价格周期见底
自2022年初以来存储下游需求不振引发供需错配，厂商竞相出货导致存储价格持续下探，2023Q1存储产品价格继续下跌，逼迫海外存储大厂相继缩减资本支出并降低产能利用率。
铠侠早在2022年10月就已将晶圆产量减少约30%。美光随后跟进减产，宣布将DRAM和NAND晶圆产量减少约20%;并将2023年资本开支减少约41.67%。SK海力士同样下调了2023年资本开支预算，减少50%至74亿美元。三星2023第一季度利润暴跌96%，存储业务亏损达3万亿韩元，三星正式宣布存储芯片减产，截至2023年3月中旬已减产20%。随着海外大厂减产措施成效逐渐显现，库存去化有望加快，有利于价格见底企稳！
AI服务器、车载等领域存储需求提升明显
当前AI迅速发展，也带动对高端存储芯片的需求。据美光数据，一台AI服务器的DRAM使用量是普通服务器的8倍，NAND Flash使用量是普通服务器的3倍。
根据东吴证券测算，2023年全球AI服务器存储市场规模为81亿美元，预计2026年能达到492亿美元，2023-2026年CAGR为82.5%，AI服务器带来的增量主要体现在对大容量DDR、HBM、SSD存储产品的拉动。
车载存储方面，由于汽车电子化的趋势，汽车对于存储的需求也是越来越高的。根据Yole数据，2027年车载存储市场规模达到125亿美元，2021-2027年CAGR为20%，随着美光产品被禁，车载存储领域的国产替代进程将继续加快。
伴随下游笔电需求回暖、AI应用浪潮袭来与汽车市场景气度上升，叠加龙头企业减产停止价格跌势，存储产品价格有望迎来拐点。在今年5月份，国内存储龙头企业长江存储宣布将针对企业级客户调升NAND价格3%-5%。
据广发证券观察，主流及利基型DRAM现货价已经趋稳，价格跌幅显著减缓，DRAM合约价已经企稳回升；NAND现货价也已经基本企稳。TrendForce也预期Q3开始，部分存储产品将开启价格回弹。美光也表示，预计2023H2存储价格改善并走强。
主流及利基型DRAM芯片现货平均价（美元）
数据来源：Bloomberg，广发证券发展研究中心，*表示主流产品型号
HBM受“存储+AI”双轮驱动
存储芯片在价格周期将企稳向上的预期驱动下，存储芯片板块已经对该预期开始反映。但HBM作为存储芯片的一个分支，同时还受到AI这个产业大趋势的推动，逻辑也得到了市场的认可，板块内2只核心个股在7月份均已经上涨超60%。那么，HBM的逻辑到底强在哪？
随着AIGC的兴起，大模型训练在算力提升的基础上，也需要存力升级，HBM助力突破“内存墙”的限制，成为AI训练芯片的首选。
“内存墙”是处理器算力超过存储芯片存取能力。据行业预计，处理器的峰值算力每两年增长3.1 倍，而动态存储器（DRAM）的带宽每两年增长1.4 倍，存储器的发展速度远落后于处理器，相差1.7倍。由于处理器处理数据过程同样需要动态存储器的支持，“内存墙”的存在制约了处理器的算力提升速度。
将DRAM从传统2D转变为立体3D，借助TSV（硅通孔技术） 等技术实现内存芯片在3D 维度进行堆叠，充分利用空间提升内存芯片密度，缩小芯片表面积，契合半导体行业小型化、集成化的发展趋势。
3D DRAM的发展也有堆叠引线键合、倒装混合引线键合等多种实现方式，HBM是3D DRAM的一种形式，相较于其他DRAM的集成方式，HBM存储单元外的导线长度最短，数据传递速度最快，损耗最小，是目前最理想化的3D DRAM形式。
HBM （High BandwidthMemory，高带宽存储器），通过TSV（硅通孔）技术，将多个DDR芯片堆叠，最终与GPU封装在一起。HBM突破了内存容量与带宽瓶颈，打破了“内存墙”对算力提升的桎梏，被视为新一代DRAM解决方案，是未来DRAM重要发展路径。
HBM的堆叠结构
资料来源：《半导体产业纵横微信公众号文章》，《电子与封装》
受AI服务器带动，HBM需求有望高增长
AI大模型需要通过Al服务器进行训练与推理; TrendeForce预计2023年AI服务器出货量为118.3万台，占整体服务器出货量近9%，同增38.4%;未来有望以26.05%的年均复合增速于2026年达到236.9万台。
2022-2026年全球AI服务器出货量预估
资料来源: TrendForce，中航证券研究所
数据处理量和传输速率的大幅提升使得Al服务器对带宽提出了更高的要求，HBM成为了Al服务器的标配; TrendForce数据显示，鉴于主流高端芯片均采用HBM方案，在Al和大模型的驱动下，2023年HBM需求量有望同增58%，2024年仍将维持30%的高增速。美光预计，2025年HBM市场规模有望超过70亿美元。
HBM市场规模预测
资料来源：Micron，中航证券研究所
2022年HBM市场份额中，SK海力士独占50%，三星约40%，美光仅10%，且SK海力士是目前唯一量产HBM3的公司，今年4月又推出24GBHBM3产品（HBM3E），正被头部公司争相申请样片测试。
据韩国媒体Business Korea报道，英伟达、AMD、微软、亚马逊等海外AI领域科技巨头相继向SK海力士申请了HBM3E的样片，测试HBM3E与其CPU、GPU或云端系统的兼容性，为后续量产交货提前准备。此外，近期三星表示，已收到AMD和英伟达的HBM订单，计划投资1万亿韩元（约合7.6亿美元）在天安工厂扩产HBM，计划在2024年底前将产能提高一倍。
存储芯片“牛股辈出”！私募、牛散均有持仓
存储芯片产业链主要分为存储芯片设计、存储接口、存储模组及主控、存储封测等几个细分领域。而存储分支HBM领域，被海外寡头垄断，但A股相关的产业链相关公司有望受益。A股存储芯片核心公司有10余家，笔者已按产业链环节整理出来，供大家参考。
截至7月13日收盘，有7只存储芯片概念股年内涨幅已翻倍。其中，佰维存储有次新股属性，该股年内最高涨幅超5倍。近一个月来，也有7只存储芯片概念股涨幅超20%。
存储芯片概念股中，有多只个股出现私募基金的身影。此外，国家集成电路产业基金，是近年来国家为扶持国内芯片企业而成立的大基金，该基金也是多只存储芯片产业链公司的大股东之一。
进一步梳理发现，“牛散”作为投资者中的实力派，葛卫东、赵建平、何雪萍等“牛散”也重仓持有存储芯片股。其中，顶级牛散葛卫东与国家集成电路产业基金，均持有A股存储芯片设计龙头公司兆易创新，该股就一个月也有不俗表现。
数据说明
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风险揭示
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